IPT60R022S7XTMA1

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MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF

Número de pieza NOVA:

312-2283888-IPT60R022S7XTMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPT60R022S7XTMA1

Embalaje estándar:

2,000

N-Channel 600 V 23A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-2
Número de producto base	IPT60R022
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™S7
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	23A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	22mOhm @ 23A, 12V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4.5V @ 1.44mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	150 nC @ 12 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerSFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5639 pF @ 300 V
Disipación de energía (máx.)	390W (Tc)
Otros nombres	SP003330410 448-IPT60R022S7XTMA1DKR 448-IPT60R022S7XTMA1TR 448-IPT60R022S7XTMA1CT