IPT65R033G7XTMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-2
Número de producto base	IPT65R033
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™ C7
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	69A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	33mOhm @ 28.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 1.44mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerSFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5000 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.)	391W (Tc)
Otros nombres	IPT65R033G7XTMA1CT 2156-IPT65R033G7XTMA1 IPT65R033G7XTMA1-ND IPT65R033G7XTMA1DKR SP001456202 INFINFIPT65R033G7XTMA1 IPT65R033G7XTMA1TR

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