IPD034N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Número de pieza NOVA:
312-2280942-IPD034N06N3GATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPD034N06N3GATMA1
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 | |
| Número de producto base | IPD034 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 93µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11000 pF @ 30 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 167W (Tc) | |
| Otros nombres | IPD034N06N3 GINTR-ND SP000451070 IPD034N06N3 GINCT IPD034N06N3 GINCT-ND IPD034N06N3 G-ND IPD034N06N3 GINDKR IPD034N06N3GATMA1CT IPD034N06N3 GINDKR-ND IPD034N06N3GATMA1TR IPD034N06N3 G IPD034N06N3G IPD034N06N3GATMA1DKR |
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