TK5R1P08QM,RQ
UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Número de pieza NOVA:
312-2287948-TK5R1P08QM,RQ
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TK5R1P08QM,RQ
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 80 V 84A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSX-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 84A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 42A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 700µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3980 pF @ 40 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 104W (Tc) | |
| Otros nombres | 264-TK5R1P08QM,RQDKR-ND 264-TK5R1P08QM,RQDKR 264-TK5R1P08QMRQDKR 264-TK5R1P08QM,RQTR TK5R1P08QM,RQ(S2 264-TK5R1P08QM,RQCT-ND 264-TK5R1P08QM,RQCT 264-TK5R1P08QMRQTR 264-TK5R1P08QM,RQTR-ND 264-TK5R1P08QMRQCT |
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