IPD031N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Número de pieza NOVA:
312-2282988-IPD031N06L3GATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPD031N06L3GATMA1
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 | |
| Número de producto base | IPD031 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.2V @ 93µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 79 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 13000 pF @ 30 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 167W (Tc) | |
| Otros nombres | IPD031N06L3G IPD031N06L3 GTR-ND IPD031N06L3 GDKR IPD031N06L3 G-ND IPD031N06L3GATMA1TR IPD031N06L3 GCT-ND IPD031N06L3 G IPD031N06L3GATMA1DKR IPD031N06L3GATMA1CT SP000451076 IPD031N06L3 GCT IPD031N06L3 GDKR-ND |
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