BSM600C12P3G201
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Número de pieza NOVA:
312-2289978-BSM600C12P3G201
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSM600C12P3G201
Embalaje estándar:
4
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 1200 V 600A (Tc) 2460W (Tc) Chassis Mount Module
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Module | |
| Número de producto base | BSM600 | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 600A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | - | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5.6V @ 182mA | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | Module | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -4V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 28000 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2460W (Tc) |
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