BSM180C12P3C202

SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Número de pieza NOVA:
312-2275707-BSM180C12P3C202
Número de parte del fabricante:
BSM180C12P3C202
Embalaje estándar:
12
Hoja de datos técnicos:

N-Channel 1200 V 180A (Tc) 880W (Tc) Chassis Mount Module

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteRohm Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeChassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Número de producto base BSM180
TecnologíaSiCFET (Silicon Carbide)
Serie-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 5.6V @ 50mA
Función FET-
Paquete / CajaModule
Vgs (Máx.)+22V, -4V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)1200 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9000 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.) 880W (Tc)
Otros nombres846-BSM180C12P3C202

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