BSM180C12P2E202
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Número de pieza NOVA:
312-2278788-BSM180C12P2E202
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSM180C12P2E202
Embalaje estándar:
4
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Chassis Mount Module
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Module | |
| Número de producto base | BSM180 | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 204A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | - | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 35.2mA | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | Module | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -6V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 20000 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1360W (Tc) |
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