SI3407DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Número de pieza NOVA:
312-2284523-SI3407DV-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI3407DV-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 20 V 8A (Tc) 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-TSOP | |
| Número de producto base | SI3407 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1670 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 4.2W (Tc) | |
| Otros nombres | SI3407DV-T1-GE3CT SI3407DV-T1-GE3DKR SI3407DV-T1-GE3TR SI3407DV-T1-GE3-ND |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SI3407DV-T1-BE3Vishay Siliconix
SQ3493EV-T1_GE3Vishay Siliconix- SI3473DDV-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI3429EDV-T1-GE3Vishay Siliconix
SI3493DDV-T1-GE3Vishay Siliconix- SI3421DV-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI3483DDV-T1-GE3Vishay Siliconix
