SI3407DV-T1-BE3

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MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP

Número de pieza NOVA:

312-2296698-SI3407DV-T1-BE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI3407DV-T1-BE3

Embalaje estándar:

3,000

P-Channel 20 V 7.5A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	6-TSOP
Número de producto base	SI3407
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	7.5A (Ta), 8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1670 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Otros nombres	742-SI3407DV-T1-BE3CT 742-SI3407DV-T1-BE3TR 742-SI3407DV-T1-BE3DKR