SI3429EDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Número de pieza NOVA:
312-2284793-SI3429EDV-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI3429EDV-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 20 V 8A (Ta), 8A (Tc) 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-TSOP | |
| Número de producto base | SI3429 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 8A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 118 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4085 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 4.2W (Tc) | |
| Otros nombres | SI3429EDV-T1-GE3TR SI3429EDV-T1-GE3CT SI3429EDV-T1-GE3DKR |
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