STW65N65DM2AG
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Número de pieza NOVA:
312-2283668-STW65N65DM2AG
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
STW65N65DM2AG
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-3 | |
| Número de producto base | STW65 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5500 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 446W (Tc) | |
| Otros nombres | 497-16127-5 |
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