SI7172ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Número de pieza NOVA:
312-2275071-SI7172ADP-T1-RE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI7172ADP-T1-RE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 200 V 5.3A (Ta), 17.2A (Tc) - Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 | |
| Número de producto base | SI7172 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 5.3A (Ta), 17.2A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.1V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 19.5 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | - | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1110 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | - | |
| Otros nombres | SI7172ADP-T1-RE3DKR SI7172ADP-RE3 SI7172ADP-T1-RE3CT SI7172ADP-T1-RE3TR |
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