NTD360N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Número de pieza NOVA:
312-2295457-NTD360N65S3H
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NTD360N65S3H
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D-PAK (TO-252) | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | SuperFET® III | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 10A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 700µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 17.5 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 916 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 83W (Tc) | |
| Otros nombres | 488-NTD360N65S3HDKR 488-NTD360N65S3HCT 488-NTD360N65S3HTR |
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