SIHD1K4N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Número de pieza NOVA:
312-2265247-SIHD1K4N60E-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIHD1K4N60E-GE3
Embalaje estándar:
2,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 600 V 4.2A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount D-Pak
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D-Pak | |
| Número de producto base | SIHD1 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | E | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 4.2A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.45Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 172 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 63W (Tc) | |
| Otros nombres | SIHD1K4N60E-GE3DKR SIHD1K4N60E-GE3DKR-ND SIHD1K4N60E-GE3TR-ND SIHD1K4N60E-GE3DKRINACTIVE SIHD1K4N60E-GE3CT SIHD1K4N60E-GE3CT-ND SIHD1K4N60E-GE3TR SIHD1K4N60E-GE3CTINACTIVE |
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