TK10P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2273655-TK10P60W,RVQ
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TK10P60W,RVQ
Embalaje estándar:
2,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK | |
| Número de producto base | TK10P60 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.7V @ 500µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Función FET | Super Junction | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 700 pF @ 300 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 80W (Tc) | |
| Otros nombres | TK10P60WRVQDKR TK10P60WRVQCT TK10P60W,RVQ(S TK10P60WRVQTR TK10P60WRVQ |
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