IMW65R039M1HXKSA1

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SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Número de pieza NOVA:

312-2273053-IMW65R039M1HXKSA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IMW65R039M1HXKSA1

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 650 V 46A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO247-3-41
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Serie	CoolSiC™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	46A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	5.7V @ 7.5mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	41 nC @ 18 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-247-3
Vgs (Máx.)	+20V, -2V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1393 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.)	176W (Tc)
Otros nombres	448-IMW65R039M1HXKSA1