IPN80R900P7ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Número de pieza NOVA:
312-2288071-IPN80R900P7ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPN80R900P7ATMA1
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-SOT223 | |
| Número de producto base | IPN80R900 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ P7 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 6A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 110µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 800 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 350 pF @ 500 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 7W (Tc) | |
| Otros nombres | SP001665000 IPN80R900P7ATMA1CT IPN80R900P7ATMA1-ND IPN80R900P7ATMA1TR IPN80R900P7ATMA1DKR |
In stock ?Necesitas más?
1,18850 US$
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IPN80R750P7ATMA1Infineon Technologies- IPN80R4K5P7ATMA1Infineon Technologies
- IPN80R600P7ATMA1Infineon Technologies
- IPN80R1K2P7ATMA1Infineon Technologies