IPN80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Número de pieza NOVA:
312-2275537-IPN80R1K2P7ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPN80R1K2P7ATMA1
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-SOT223 | |
| Número de producto base | IPN80R1 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ P7 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.7A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 80µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 800 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 300 pF @ 500 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 6.8W (Tc) | |
| Otros nombres | IPN80R1K2P7ATMA1DKR SP001664998 IPN80R1K2P7ATMA1-ND IPN80R1K2P7ATMA1TR IPN80R1K2P7ATMA1CT |
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