IPN80R600P7ATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-SOT223
Número de producto base	IPN80R600
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™ P7
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.5V @ 170µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	570 pF @ 500 V
Disipación de energía (máx.)	7.4W (Tc)
Otros nombres	IPN80R600P7ATMA1DKR INFINFIPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1TR 2156-IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1CT IPN80R600P7ATMA1-ND SP001665004

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