BSC018N04LSGATMA1

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Número de producto base	BSC018
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	30A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2V @ 85µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	12000 pF @ 20 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Otros nombres	SP000388293 BSC018N04LS GDKR BSC018N04LSGATMA1TR BSC018N04LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC018N04LSGATMA1DKR BSC018N04LS G BSC018N04LS GCT-ND BSC018N04LS GTR-ND BSC018N04LSGATMA1CT BSC018N04LS GDKR-ND BSC018N04LS G-ND BSC018N04LSG BSC018N04LS GCT BSC018N04LSGATMA1DKR-NDTR-ND

In stock Por favor contáctenos

?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

?Encontramos otros productos que te pueden gustar!