BSC093N04LSGATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-5
Número de producto base	BSC093
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	13A (Ta), 49A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	9.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2V @ 14µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1900 pF @ 20 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 35W (Tc)
Otros nombres	BSC093N04LS G SP000387929 BSC093N04LSGATMA1DKR BSC093N04LS GCT-ND BSC093N04LS GDKR BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC093N04LS GTR-ND BSC093N04LSGATMA1CT BSC093N04LS GTR BSC093N04LS GDKR-ND BSC093N04LS G-ND BSC093N04LS GCT BSC093N04LSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC093N04LSGATMA1TR BSC093N04LSG