BSC019N04NSGATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Número de producto base	BSC019
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	30A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 85µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	108 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	8800 pF @ 20 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Otros nombres	BSC019N04NSGATMA1CT BSC019N04NS GDKR-ND BSC019N04NS GCT BSC019N04NS G-ND BSC019N04NS GTR-ND BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND 2156-BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NS G BSC019N04NS GDKR BSC019N04NS GCT-ND BSC019N04NSGATMA1TR BSC019N04NSGATMA1DKR BSC019N04NSGATMA1DKR-NDTR-ND INFINFBSC019N04NSGATMA1 SP000388299

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