IPB60R080P7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK
Número de pieza NOVA:
312-2292311-IPB60R080P7ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPB60R080P7ATMA1
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 650 V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3 | |
| Número de producto base | IPB60R080 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ P7 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 37A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 11.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 590µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2180 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 129W (Tc) | |
| Otros nombres | IPB60R080P7ATMA1TR IPB60R080P7ATMA1-ND IPB60R080P7 SP001664898 IFEINFIPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1DKR 2156-IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1CT |
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