IPB60R060C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
Número de pieza NOVA:
312-2292537-IPB60R060C7ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPB60R060C7ATMA1
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK (TO-263) | |
| Número de producto base | IPB60R060 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ C7 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 15.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 800µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2850 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 162W (Tc) | |
| Otros nombres | SP001385008 IPB60R060C7ATMA1-ND IPB60R060C7ATMA1TR IPB60R060C7ATMA1CT IPB60R060C7ATMA1DKR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IPB60R080P7ATMA1Infineon Technologies
STB43N65M5STMicroelectronics
IPB60R040C7ATMA1Infineon Technologies- IPB60R040CFD7ATMA1Infineon Technologies
- IPB600N25N3GATMA1Infineon Technologies