IPB60R099P7ATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Número de producto base	IPB60R099
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™ P7
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 530µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1952 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.)	117W (Tc)
Otros nombres	IPB60R099P7ATMA1CT IPB60R099P7ATMA1-ND SP001664910 2156-IPB60R099P7ATMA1 IPB60R099P7 IPB60R099P7ATMA1TR IPB60R099P7ATMA1DKR IFEINFIPB60R099P7ATMA1

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