GB02SLT12-252

DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252

Número de pieza NOVA:

287-2400423-GB02SLT12-252

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

GB02SLT12-252

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 5A (DC) Surface Mount TO-252

More Information
Categoría	Diodos - Rectificadores - Simples
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252
Número de producto base	GB02SLT12
Serie	SiC Schottky MPS™
Corriente - Media Rectificada (Io)	5A (DC)
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento: unión	-55°C ~ 175°C
Capacitancia @ Vr, F	131pF @ 1V, 1MHz
Corriente - Fuga inversa @ Vr	50 µA @ 1200 V
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si	1.8 V @ 2 A
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)	1200 V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0 ns
Otros nombres	1242-1138-ND 1242-1138-1 1242-1138-2 1242-1138 GB02SLT12252 1242-1138-6

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