GD02MPS12E

1200V 2A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M

Número de pieza NOVA:

287-2365265-GD02MPS12E

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

GD02MPS12E

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 8A (DC) Surface Mount TO-252-2

More Information
Categoría	Diodos - Rectificadores - Simples
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252-2
Serie	SiC Schottky MPS™
Corriente - Media Rectificada (Io)	8A (DC)
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento: unión	-55°C ~ 175°C
Capacitancia @ Vr, F	73pF @ 1V, 1MHz
Corriente - Fuga inversa @ Vr	5 µA @ 1200 V
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si	1.8 V @ 2 A
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)	1200 V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0 ns
Otros nombres	1242-GD02MPS12ETR 1242-GD02MPS12EDKR 1242-GD02MPS12ECT

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