SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Número de pieza NOVA:
312-2288081-SQJ431AEP-T1_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQJ431AEP-T1_GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 200 V 9.4A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Número de producto base | SQJ431 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 305mOhm @ 3.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 85 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3700 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 68W (Tc) | |
| Otros nombres | SQJ431AEP-T1_GE3TR SQJ431AEP-T1_GE3CT SQJ431AEP-T1_GE3DKR |
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