GAP3SLT33-214

DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214

Número de pieza NOVA:

287-2355439-GAP3SLT33-214

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

GAP3SLT33-214

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Diode Silicon Carbide Schottky 3300 V 300mA (DC) Surface Mount DO-214AA

More Information
Categoría	Diodos - Rectificadores - Simples
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Velocidad	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-214AA
Número de producto base	GAP3SLT33
Serie	SiC Schottky MPS™
Corriente - Media Rectificada (Io)	300mA (DC)
Paquete / Caja	DO-214AA, SMB
Temperatura de funcionamiento: unión	-55°C ~ 175°C
Capacitancia @ Vr, F	42pF @ 1V, 1MHz
Corriente - Fuga inversa @ Vr	10 µA @ 3300 V
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si	2.2 V @ 300 mA
Tipo de diodo	Silicon Carbide Schottky
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)	3300 V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	0 ns
Otros nombres	GAP3SLT33214 1242-1172-6 1242-1172-1 1242-1172-2

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