G3R350MT12D

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SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

NOVA-Teilenummer:

312-2263413-G3R350MT12D

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

G3R350MT12D

Standardpaket:

Technisches Datenblatt:

N-Channel 1200 V 11A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
RoHS	1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten	TO-247-3
Basisproduktnummer	G3R350
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Serie	G3R™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	11A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420mOhm @ 4A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.69V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 15 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-247-3
Vgs (Max)	±15V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	334 pF @ 800 V
Verlustleistung (max.)	74W (Tc)
Andere Namen	1242-G3R350MT12D