G3R160MT12D
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
NOVA-Teilenummer:
312-2264657-G3R160MT12D
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
G3R160MT12D
Standardpaket:
30
Technisches Datenblatt:
N-Channel 1200 V 22A (Tc) 123W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-247-3 | |
| Basisproduktnummer | G3R160 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | G3R™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 22A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 192mOhm @ 10A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 5mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 15 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-247-3 | |
| Vgs (Max) | ±15V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 730 pF @ 800 V | |
| Verlustleistung (max.) | 123W (Tc) | |
| Andere Namen | 1242-G3R160MT12D |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
IMW120R220M1HXKSA1Infineon Technologies
BA159GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IMW120R350M1HXKSA1Infineon Technologies
APT7M120BMicrochip Technology
IXDH20N120IXYS
C3M0075120DWolfspeed, Inc.
NTHL080N120SC1onsemi
MSC750SMA170BMicrochip Technology
GAN063-650WSAQNexperia USA Inc.
G3R350MT12DGeneSiC Semiconductor
IPP60R160P7XKSA1Infineon Technologies- G3R75MT12DGeneSiC Semiconductor
- G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
- C3M0160120DWolfspeed, Inc.