G3R350MT12J
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
NOVA-Teilenummer:
312-2263417-G3R350MT12J
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
G3R350MT12J
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:
N-Channel 1200 V 11A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-263-7
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-263-7 | |
| Basisproduktnummer | G3R350 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | G3R™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 4A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 2mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 15 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Max) | ±15V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 334 pF @ 800 V | |
| Verlustleistung (max.) | 75W (Tc) | |
| Andere Namen | 1242-G3R350MT12J |
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