APT7M120B
MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
NOVA-Teilenummer:
312-2264616-APT7M120B
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
APT7M120B
Standardpaket:
1
Technisches Datenblatt:
N-Channel 1200 V 8A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-247 [B] | |
| Basisproduktnummer | APT7M120 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-247-3 | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2565 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 335W (Tc) | |
| Andere Namen | APT7M120BMI APT7M120BMI-ND |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
IMW120R350M1HXKSA1Infineon Technologies
STW8N120K5STMicroelectronics
STH12N120K5-2STMicroelectronics
UF3C120400K3SUnitedSiC
STP12N120K5STMicroelectronics
G3R350MT12DGeneSiC Semiconductor- G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
APT1204R7BFLLGMicrochip Technology- G3R160MT12DGeneSiC Semiconductor