TP65H480G4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
NOVA-Teilenummer:
312-2264341-TP65H480G4JSG-TR
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TP65H480G4JSG-TR
Standardpaket:
500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 3.6A (Tc) 13.2W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (5x6)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Transphorm | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 3-PQFN (5x6) | |
| Basisproduktnummer | TP65H480 | |
| Technologie | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.6A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 8V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 3.4A, 8V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 500µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 8 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 3-SMD, Flat Lead | |
| Vgs (Max) | ±18V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 760 pF @ 400 V | |
| Verlustleistung (max.) | 13.2W (Tc) | |
| Andere Namen | 1707-TP65H480G4JSG-TR 1707-TP65H480G4JSG-DKR 1707-TP65H480G4JSG-CT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
STD8N60DM2STMicroelectronics
NV6125Navitas Semiconductor, Inc.
STD15N50M2AGSTMicroelectronics
TP65H050WSQATransphorm
EPC2019EPC
IPL60R285P7AUMA1Infineon Technologies- TP65H015G5WSTransphorm
G3R350MT12DGeneSiC Semiconductor
TP65H070LDGTransphorm
EPC2012CEPC
TPH3206PSTransphorm
IPD60R360P7ATMA1Infineon Technologies
TP90H050WSTransphorm
G3R350MT12JGeneSiC Semiconductor- TP65H300G4LSGTransphorm
