TP65H015G5WS

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650 V 95 A GAN FET

NOVA-Teilenummer:

312-2297731-TP65H015G5WS

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

TP65H015G5WS

Standardpaket:

Technisches Datenblatt:

N-Channel 650 V 93A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Transphorm
RoHS	1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten	TO-247-3
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Serie	SuperGaN™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	93A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.8V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-247-3
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	5218 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.)	266W (Tc)
Andere Namen	1707-TP65H015G5WS