SIHH068N60E-T1-GE3

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® 8 x 8
Basisproduktnummer	SIHH068
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	E
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	34A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	68mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±30V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2650 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)	202W (Tc)
Andere Namen	SIHH068N60E-T1-GE3TR SIHH068N60E-T1-GE3DKR SIHH068N60E-T1-GE3CT

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