SIHH27N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
NOVA-Teilenummer:
312-2273291-SIHH27N60EF-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIHH27N60EF-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

N-Channel 600 V 29A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® 8 x 8
Basisproduktnummer SIHH27
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieE
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/Koffer8-PowerTDFN
Vgs (Max)±30V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)600 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2609 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.) 202W (Tc)
Andere NamenSIHH27N60EF-T1-GE3TR
SIHH27N60EF-T1-GE3DKR
SIHH27N60EF-T1-GE3CT

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