STL57N65M5
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
NOVA-Teilenummer:
312-2263528-STL57N65M5
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
STL57N65M5
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) 2.8W (Ta), 189W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerFlat™ (8x8) HV | |
| Basisproduktnummer | STL57 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | MDmesh™ V | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Max) | ±25V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4200 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 189W (Tc) | |
| Andere Namen | 497-13520-1 497-13520-2 497-13520-6 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- SIHH068N60E-T1-GE3Vishay Siliconix
- NTMT064N65S3Honsemi
- BZT55C12-GS18Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- LT3090IDD#PBFAnalog Devices Inc.



