SIHH070N60EF-T1GE3
MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8
NOVA-Teilenummer:
312-2289742-SIHH070N60EF-T1GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIHH070N60EF-T1GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 600 V 36A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Basisproduktnummer | SIHH070 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | EF | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 36A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 71mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2647 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 202W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SIHH070N60EF-T1GE3CT 742-SIHH070N60EF-T1GE3DKR 742-SIHH070N60EF-T1GE3TR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- 5006Laird Technologies EMI
- SIJH112E-T1-GE3Vishay Siliconix
- PMN40ENAXNexperia USA Inc.
- SIHH068N60E-T1-GE3Vishay Siliconix
- SQJQ410EL-T1_GE3Vishay Siliconix


