NTHL080N120SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, N-CHANNE
NOVA-Teilenummer:
312-2280517-NTHL080N120SC1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NTHL080N120SC1
Standardpaket:
1
Technisches Datenblatt:
N-Channel 1200 V 44A (Tc) 348W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-247-3 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 44A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 20 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-247-3 | |
| Vgs (Max) | +25V, -15V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1670 pF @ 800 V | |
| Verlustleistung (max.) | 348W (Tc) | |
| Andere Namen | 2156-NTHL080N120SC1-488 |
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