SUP70030E-GE3
MOSFET N-CH 100V 150A TO220AB
NOVA-Teilenummer:
312-2264631-SUP70030E-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SUP70030E-GE3
Standardpaket:
500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 150A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220AB | |
| Basisproduktnummer | SUP70030 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 150A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.18mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 214 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 10870 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- STP240N10F7STMicroelectronics
- CSD19536KCSTexas Instruments
- SUP70042E-GE3Vishay Siliconix
- TK100A10N1,S4XToshiba Semiconductor and Storage
- FDP036N10Aonsemi
- IRFB4110PBFInfineon Technologies
- IRF100B201Infineon Technologies
- TK65E10N1,S1XToshiba Semiconductor and Storage
- TK100E10N1,S1XToshiba Semiconductor and Storage
- FDP2D3N10CFairchild Semiconductor
- IPA030N10NF2SXKSA1Infineon Technologies









