TK65E10N1,S1X
MOSFET N CH 100V 148A TO220
NOVA-Teilenummer:
312-2276394-TK65E10N1,S1X
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TK65E10N1,S1X
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 148A (Ta) 192W (Tc) Through Hole TO-220
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220 | |
| Basisproduktnummer | TK65E10 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 148A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 32.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 5400 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 192W (Tc) | |
| Andere Namen | TK65E10N1S1X TK65E10N1,S1X(S |
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