FDP2D3N10C

N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
NOVA-Teilenummer:
312-2277473-FDP2D3N10C
Hersteller-Teile-Nr:
FDP2D3N10C
Standardpaket:
1
Technisches Datenblatt:

N-Channel 100 V 222A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerFairchild Semiconductor
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Gerätepaket des Lieferanten TO-220-3
Basisproduktnummer FDP2D3
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SeriePowerTrench®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 222A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-220-3
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 11180 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.) 214W (Tc)
Andere NamenONSFSCFDP2D3N10C
2156-FDP2D3N10C

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Whatsapp

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.