TK100E10N1,S1X
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
NOVA-Teilenummer:
312-2276478-TK100E10N1,S1X
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TK100E10N1,S1X
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220 | |
| Basisproduktnummer | TK100E10 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 8800 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 255W (Tc) | |
| Andere Namen | TK100E10N1S1X TK100E10N1,S1X(S |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
STP150N10F7STMicroelectronics
IRFB4110PBFInfineon Technologies
TK65E10N1,S1XToshiba Semiconductor and Storage- TK100E08N1,S1XToshiba Semiconductor and Storage
SUP70030E-GE3Vishay Siliconix
