DMP1009UFDFQ-7
MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
НОВА часть #:
312-2295655-DMP1009UFDFQ-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMP1009UFDFQ-7
Стандартный пакет:
3,000
P-Channel 12 V 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | U-DFN2020-6 (Type F) | |
| Базовый номер продукта | DMP1009 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 44 nC @ 8 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-UDFN Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1860 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta) | |
| Другие имена | 31-DMP1009UFDFQ-7TR DMP1009UFDFQ-7DI 31-DMP1009UFDFQ-7DKR DMP1009UFDFQ-7DI-ND 31-DMP1009UFDFQ-7CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMP1009UFDF-7Diodes Incorporated
TS3USB221AQRSERQ1Texas Instruments
