IAUT165N08S5N029ATMA2

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-HSOF-8-1
Базовый номер продукта	IAUT165
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	165A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.8V @ 108µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	90 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerSFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	80 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	6370 pF @ 40 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	167W (Tc)
Другие имена	IAUT165N08S5N029ATMA2-ND IAUT165N08S5N029ATMA2TR IAUT165N08S5N029ATMA2DKR INFINFIAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029 IAUT165N08S5N029CT 2156-IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029CT-ND IAUT165N08S5N029TR IAUT165N08S5N029DKR IAUT165N08S5N029ATMA2CT IAUT165N08S5N029TR-ND SP001585162 IAUT165N08S5N029DKR-ND