IPDD60R190G7XTMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-HDSOP-10-1
Базовый номер продукта	IPDD60
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	CoolMOS™ G7
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	13A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 210µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	10-PowerSOP Module
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	600 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	718 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	76W (Tc)
Другие имена	IPDD60R190G7XTMA1DKR SP001632844 IPDD60R190G7XTMA1TR IPDD60R190G7XTMA1CT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!