IPDD60R050G7XTMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-HDSOP-10-1
Базовый номер продукта	IPDD60
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	CoolMOS™ G7
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	47A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 800µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	10-PowerSOP Module
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	600 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2670 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	278W (Tc)
Другие имена	IPDD60R050G7XTMA1DKR IPDD60R050G7XTMA1TR INFINFIPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7XTMA1CT SP001632818 2156-IPDD60R050G7XTMA1

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!