RQ6E050ATTCR
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
НОВА часть #:
312-2285028-RQ6E050ATTCR
Производитель:
Номер детали производителя:
RQ6E050ATTCR
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TSMT6 (SC-95) | |
| Базовый номер продукта | RQ6E050 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 940 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.25W (Ta) | |
| Другие имена | RQ6E050ATTCRTR RQ6E050ATTCRDKR RQ6E050ATTCRCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
RQ6E060ATTCRRohm Semiconductor
IRFTS9342TRPBFInfineon Technologies
NCP718ASN300T1Gonsemi
RQ5E050ATTCLRohm Semiconductor
LM311PTexas Instruments
SN74LV1T125DCKRTexas Instruments
SI3417DV-T1-GE3Vishay Siliconix- SI3469DV-T1-E3Vishay Siliconix
AP2191AW-7Diodes Incorporated
2SD2351T106VRohm Semiconductor- SI3483DDV-T1-GE3Vishay Siliconix
FDC658Ponsemi- RQ6E050AJTCRRohm Semiconductor
MCH6341-TL-Wonsemi
